SIMULASI PROSES PABRIKASI BURRIED CHARGE COUPLE DEVICE
DOI:
https://doi.org/10.70746/jstunsada.v3i1.372Keywords:
Semikonduktor, MOS, silikon, difusi, oksidasiAbstract
Dalam penulisan ini dirancang suatu struktur CCD jenis buried channel (BCCD) 3 gate, menggunakan bahan silicon dengan gate dari bahan aluminium. Pabrikasi dilakukan di laboratorium TELKOMA LIPI Bandung, menggunakan teknologi difusi planar, sebelum dilakukan pabrikasi terlebih dahulu dilakukan simulasi menggunakan perangkat lunak SSUPREM, yaitu untuk menganalisis hasil proses difusi yang terdiri dari proses predeposisi dan proses drive-in. Parameter utama dalam proses difusi adalah menentukan Temperatur dan waktu yang diperlukan dalam proses, sehingga didapatkan besarnya konsentrasi impurity/doping bahan dan kedalaman difusi serta hasil akhir profil konsentrasi impurity. Bagian BCCD yang disimulasikan adalah pada daerah source/drain (tipe n+) dan pada daerah kanal (tipe n). hasil simulasi akan menjadi dasar /acuan dalam pembuatan proses pabrikasi selanjutnya.
References
2. Edmund Banghart, K.Lavine.J.P., Trabka E.A., Nelson,ET.” A model for charge transfer in buried-channel charge. coupled devices at Low Temperature”, IEEE Trans.Elect.Dev.,vol.38, pp 1162-1174, No.5 Th 1997
3. Pall,B.B;and Nelson,S.S,”Optoelectronic Charge Coupled Device (OECCD) using InP MIS Capacitor Array”, IEEE Trans.Elect.Dev.,vol40,pp.1878-1880, 1993.
4. Howes, M.J and Morgan, D.V.,” Charge-coupled Device and System”, John Willey &Sons, 1998
5. Neamen,D.,” Semiconductor Physics and Dev.Basic Principles”, Richard DI,Inc.,USA, 1992.
6. Rio, dan M.Lida, “Fisika dan teknologi Semikonduktor”, Ass.For Int.Technical Promotion, Tokyo, Japan, 1980
7. Sze, S.M.,”Semiconductor Devices:Physics and Technology”, John Wiley&Son,Inc,Canada, 2001.
8. Yang,E.S., “Microelectronics Devices” , McGraw-Hill, Singapore, 2008.
Downloads
Published
How to Cite
Issue
Section
License
Copyright
